REVUE INTERNATIONALE D'HÉLIOTECHNIQUE N° 42 (2010) 13-17
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Beddiaf ZAIDI*, Houda FELFLI, Sana YOUSFI, Bouzid HADJOUDJA,
Baghdadi CHOUIAL, Allaoua CHIBANI
Laboratoire des semi-conducteurs, département de physique,
Faculté des sciences, Université Badji Mokhtar, Annaba, Algérie.
zbeddiaf@gmail.com
Reçue le 3 juin 2010, accepté le 7 juin 2010, en ligne le 9 juin 2010
Résumé
Les cellules poly-cristallines présentent un certain nombre d’avantages dans la course à la production de modules solaires à grande échelle. En effet, elles sont sensibles aux faibles éclairements et de coûter beaucoup moins élevé que celles fabriquées à base de silicium monocristallin. Cependant, le faible rendement de conversion photovoltaïque obtenu avec des cellules solaires réalisées sur du silicium poly-cristallin est dû essentiellement à l’activité électronique des joints de grains, du fait de la forte densité de centres de recombinaisons entraînant l’atténuation de la collecte des porteurs minoritaires. Dans cette optique, nous nous sommes intéressés à l’influence de l’hydrogène sur les propriétés électriques des couches minces de silicium poly-cristallin. Les résultats obtenus ont montré que l’introduction de l’hydrogène réduit la densité des états pièges aux joints de grains, et que son effet sur les caractéristiques électriques est plus prononcé, d’une part, pour des concentrations moyennes de dopant, et d’autre part, dans les films dopés bore que dans les films dopés arsenic. Par ailleurs, nous avons constaté que la ségrégation des dopants aux joints de grains réduit l’effet de l’hydrogène sur la densité des états pièges en retardant sa pénétration.
Mots Clés - Silicium poly-cristallin, Joints de grains, Etats pièges, Hydrogène, Cellules solaires.